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850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管 產(chǎn)品介紹

更新時(shí)間:2022-09-19      點(diǎn)擊次數(shù):1099

PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發(fā)射 MOVPE 生長(zhǎng)的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長(zhǎng)調(diào)諧可以通過激光電流和溫度調(diào)諧來實(shí)現(xiàn)。內(nèi)置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

中心波長(zhǎng)
850nm
通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn):

電學(xué)和光學(xué)特性對(duì)溫度的依賴性較低

垂直腔面發(fā)射激光器

內(nèi)部TEC和熱敏電阻,ESD保護(hù)

窄線寬

2nm可調(diào)諧

 

產(chǎn)品應(yīng)用:

長(zhǎng)途電話接入網(wǎng)

局域網(wǎng)

以太網(wǎng)


光電參數(shù) 條件:TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有說明(TO P=芯片背面溫度,由TEC控制)

 

參數(shù)

符號(hào)

最小

典型

最大

單位

備注

工作波長(zhǎng)

λR

850nm

閾值電流

ITH


1


mA


輸出功率

Popt

0.5

1


mW


閾值電壓

UTH


1.8


V


工作電流

IOP


3


mA

Popt =   0.5mW

工作電壓

UOP


3


V

Popt =   0.5 mW

光電轉(zhuǎn)換率

ηWP


12


%

Popt =   0.5 mW

斜率效能

ηS


0.3


W/A


上升和下降時(shí)間

Tr     /Tf


90/120


Psec


微分串聯(lián)電阻

RS


100

200

Ω

Popt =   0.5 mW

3dB   調(diào)制帶寬

ν3dB

0.10

2.5


GHz

Popt =   0.5 mW

Due   to   ESD protection diode

相對(duì)噪聲強(qiáng)度

RIN


-130

-120

dB/Hz

Popt =   0.3 mW @ 1   GHz

波長(zhǎng)電流調(diào)諧系數(shù)



0.6


nm/mA


波長(zhǎng)溫度調(diào)諧系數(shù)



0.06


nm/K


熱敏電阻(VCSEL chip)

Rthermal

3


5

K/mW


邊模抑制比(SMSR)


35



dB

I   = 2 mA

光束發(fā)散角

θ

10


25

°

Popt =   0.5mW, full width 1/e2

光譜寬度



100


MHz

Popt =   0.5 mW

 

Tec 特性

單位

最小

典型

最大

備注

Tec 電流

mA

-150(Heating)


+300(Cooling)

Proper   Heart Sink Required

NTC 熱敏電阻

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC 熱敏電阻

10/exp

 

 

光譜圖





L-I 曲線(T@25°C)




溫度/波長(zhǎng)調(diào)諧曲線@TEC電流




激光光斑圖(2D/3D)



光束輪廓

在遠(yuǎn)場(chǎng)中,單模VCSEL的強(qiáng)度分布是wan美的高斯形狀





絕對(duì)最大值參數(shù)

參數(shù)

單位

最小

典型

最大

存儲(chǔ)溫度

-40

25

125

芯片溫度

+10

25

40

工作電流

mA

0

3.0

5.0

正向電壓

V

0.8

3.0

4.8

TEC 電流

mA

-150

-

+300

焊接溫度*

100

130

260

功耗

mw

-

-

5

 

(*TEC溫度必須低于150℃)