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  • ET-3500F美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器

    美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：ET-3500F
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  • ET-5000F美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器

    美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,FC/UPC

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：ET-5000F
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  • ET-2070美國EOT - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz

    美國EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時(shí)間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應(yīng)度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８ＭＨｚ； 有效面積直徑：２．５５ｍｍ； 輸出連接：BNC

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：ET-2070
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  • ET-3010美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 >2 GHz

    美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：BNC

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：ET-3010
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  • GAP3000/2.22.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器

    2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測(cè)器：峰值波長（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波長 (50%): 2.2 ± 0.1um 響應(yīng)度@ λP(min/typ)：0.9/1.0A/W 有效直徑：3mm

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：GAP3000/2.2
    瀏覽量：1052
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