2.5-6.5μm MCT碲鎘汞中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性能。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 可探測(cè)中紅外光波范圍2.5-6.5μm

● 可配專用前置放大器

● 提供TO39與BNC兩種封裝形式

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒，有效提升探測(cè)效率

封裝及尺寸

BNC型封裝及尺寸

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1
R,mm	0.5	0.8
A,mm	4.6±0.30	5.5±0.30

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—BNC型封裝頂部與焦平面的距離

TO39型封裝及尺寸

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm	1×1	2×2
R,mm	0.5	0.8
A,mm	1.5±0.20	2.4±0.20

TO39-引腳定義

引腳定義
功能	引腳號(hào)
探測(cè)器	1（-）,2（+）
接地	3

產(chǎn)品應(yīng)用

● 熱成像

● FTIR光譜學(xué)

● 激光外差探測(cè)

● 中紅外氣體分析

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測(cè)器型號(hào)
參數(shù)	PVI-3	PVI-3.4	PVI-4	PVI-5	PVI-6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長(zhǎng)λopt（μm）	3	3.4	4	5	6
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W	≥5.0×1010	≥5.0×1010	≥3.0×1010	≥1.5×1010	≥8.0×109
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W	≥5.0×1010	≥4.5×1010	≥2.0×1010	≥9×109	≥4.0×109
電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.0	≥1.0
時(shí)間常數(shù)T，ns	≤350	≤260	≤150	≤120	≤180
電阻×光敏面面積R·A,	≥100	≥50	≥6	≥1	≥0.2
感光面尺寸A,mm×mm	0.5×0.5，1×1
	TO39,BNC
接收角?	～36°
窗口	無