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當前位置：首頁 > 產品展示 > 太赫茲系統(tǒng) > 太赫茲透鏡/窗片/晶體 > THZ-GASE-10-10-1GaSe（硒化鎵）晶體
簡要描述：太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mmGaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。
產品型號：THZ-GASE-10-10-1廠商性質：經銷商更新時間：2024-12-04訪 問 量：966產品分類
Product Category詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產業(yè),能源 | 晶體規(guī)格 | 10 x 10 x 1mm |
太赫茲碲化鋅晶體 20x20x0.5mm
GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。
GaSe晶體的透過率曲線
實驗室光路系統(tǒng)
EOS測量及反演結果
● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
● 抗損傷閾值高
● 非線性系數(shù)大
● CO2激光的SHG
● 多種尺寸可選
● 客戶導向的解決方案
● 接受客戶定制服務
● 太赫茲時域系統(tǒng)
● 太赫茲源晶體
● 中遠紅外氣體探測
● CO2激光的SHG
● THZ實驗光源
● 太赫茲成像
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