銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ3mm

InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè)，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點(diǎn)。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ3mm

InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè)，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點(diǎn)。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特性
截止波長(zhǎng)： 2.6μm
低成本
感光面積： φ3 mm
低噪聲
高靈敏度
高可靠性
高速響應(yīng)

產(chǎn)品應(yīng)用

光功率計(jì)

氣體分析

濕度計(jì)

近紅外光度法

詳細(xì)參數(shù)

感光面積	φ3mm
像元個(gè)數(shù)	1
封裝	Metal
封裝類(lèi)型	TO-5
制冷方式	Non-cooled
光譜響應(yīng)范圍	0.9 to 2.6 μm
峰值靈敏度波長(zhǎng)(典型值)	2.3 μm
靈敏度 (典型值)	1.3 A/W
暗電流 (最大值)	100000 nA
截至頻率（典型值）	0.8MHz
結(jié)電容(典型值)	4000 pF
噪聲等效功率 (典型值)	3×10-12 W/Hz1/2
測(cè)量條件	Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.