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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器InGaAs銦鎵砷光電二極管InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內(nèi)置TEC制冷型）
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內(nèi)置TEC制冷型）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內(nèi)置TEC制冷型）
InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求，實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。
線性模式參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) | IGA-APD-GM104-TEC | |||||
參數(shù) | 符號(hào) | 單位 | 測(cè)試條件 | 最小 | 典型 | 最大 |
反向擊穿電壓 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
響應(yīng)度 | Re | A/W | 22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
暗電流 | ID | nA | 22℃±3℃，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
電容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
擊穿電壓溫度系數(shù) | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
蓋革模式參數(shù)
參數(shù) | 單位 | 測(cè)試條件 | 最小 | 典型 | 最大 |
單光子探測(cè)效率 PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布單光子源 | 20 | ||
暗計(jì)數(shù)率 DCR |
kHz | -45℃，1ns門寬，2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% |
20* | ||
后脈沖概率 APP | -45℃，1ns門寬，2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% | 1× 10-3 | |||
時(shí)間抖動(dòng)Tj | ps | -45℃，1ns 門寬，2MHz門控重頻，PDE=20% | 100 |
* 可提供不同等級(jí)規(guī)格產(chǎn)品
室溫IV曲線
DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)
溫度系數(shù)
電容電壓
● 光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm
● 高探測(cè)效率、低暗計(jì)數(shù)率
● 6 pin TO8
封裝外形、尺寸及引腳定義 TO8 （尾纖封裝）
● 弱光探測(cè)
● 量子保密通信
● 生物醫(yī)療
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內(nèi)置TEC制冷型）
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