InAs 和 InAsSb 光伏探測(cè)器紅外非冷卻非浸沒 2.15-3.5μm

PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求

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更新時(shí)間：2024-12-06

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應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

InAs 和 InAsSb 光伏探測(cè)器紅外非冷卻非浸沒 2.15-3.5μm

PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求

光譜響應(yīng)

2.15-3.5um

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm

可配專用前置放大器

高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性

產(chǎn)品應(yīng)用

醫(yī)學(xué)熱成像

紅外光譜分析

中紅外激光探測(cè)

參數(shù)	探測(cè)器型號(hào)
參數(shù)	PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90	PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90
有源元件材料	外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)	外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長(zhǎng)λopt（μm）	2.15±0.2	2.3±0.2
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W	2.95±0.3	4.7±0.3
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W	3.5±0.2	5.5±0.2
電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W	≥5×109	≥5×108
時(shí)間常數(shù)T，ns	≥1.3	≥1.3
電阻R,Ω	≤20	≤60
元件工作溫度Tdet,K	≥2K	≥70
感光面尺寸A,mm×mm	0.1×0.1
封裝	TO39
接收角Φ	～90°
窗口	無