DBR光纖耦合分布式反饋激光器模塊 1064nm 150mW

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更新時(shí)間：2024-12-07

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半導(dǎo)體連續(xù)激光器

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品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
組成要素	半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,建材,電子

總覽

DBR激光器由多個(gè)部分組成：這包括增益部分和單獨(dú)的DBR光柵。激光二極管上的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)需要根據(jù)特定波長提供反饋。該波導(dǎo)還部分用作放大介質(zhì)。DBR 激光器是一種單頻半導(dǎo)體激光管。

分布式反饋（DFB）和分布式布拉格反射器（DBR）激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于5MHz，典型側(cè)模抑制比（SMSR）>40dB。Innolume基于砷化鎵的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點(diǎn)（QD）活性區(qū)和專有芯片設(shè)計(jì)，覆蓋970-1330nm光譜范圍

DBR光纖耦合分布式反饋激光器模塊 1064nm 150mW,DBR光纖耦合分布式反饋激光器模塊 1064nm 150mW

型號(hào)參數(shù)

特征：

單模光纖外150mW輸出功率

高可靠性Au/Sn技術(shù)

保偏PM980光纖

可選：根據(jù)要求提供外部光纖隔離器

可選：用于功率控制的監(jiān)視器光電二極管

應(yīng)用程序：

播種

氣體傳感

儀表/測(cè)量設(shè)備

規(guī)格測(cè)試條件: CW operation, chip temperature 25°C,該模塊安裝在室溫散熱器上。
參數(shù)	Symb.	Min.	Typ.	Max.	Unit
輸出功率	Pout		150		mW
中心波長	λP	1062	1064	1066	nm
* 光譜寬度@Pout	Δλ		3		MHz
波長溫度系數(shù)	Δλ/ΔT		80	100	pm/°C
波長電流系數(shù)	Δλ/ΔI		3	5	pm/mA
邊模抑制比@Pout	SMSR	35	40		dB
閾值電流	Ith		35	50	mA
工作電流@Pout	Iop		300	380	mA
正向電壓@Pout	Vf		1.9	2.1	V
偏振消光比	PER	15	20		dB
建議的工作芯片溫度（熱敏電阻讀數(shù)）	T	15	25	40	°C

*使用9km延遲線的自外差方法進(jìn)行估計(jì)

絕對(duì)最大額定值
參數(shù)	Min.	Max.	Unit
激光二極管反向電壓		1	V
激光二極管CW正向電流		500	mA
熱電冷卻器電流		3	A
熱電冷卻器電壓		4	V
儲(chǔ)存溫度范圍（原裝密封包裝）	5	80	°C
引線焊接溫度（最高5秒）		250	°C
外殼工作溫度范圍	10	50	°C

熱敏電阻規(guī)格			光纖規(guī)格
Parameters	Value	Unit	參數(shù)	PANDA PM980	Unit
Thermistor type	NTC		數(shù)值孔徑 (Typical)	0.14
Resistance @25°C	10 ± 0.1	kOhm	截止波長	920±50	nm
Beta 0-50°C	3375	K	模場直徑 (@1060nm)	6.6±0.3	μm
			包層直徑	125±1	μm
			涂覆層直徑	245±15	μm
			芯層到包層的偏移 Core-to-cladding offset	≤0.5	μm
			長	1.5 ± 0.2	m
			光學(xué)隔離 *	30	dB
			連接器	FC/APC connector or bare cleaved end 連接器或裸解理端
			連接器與PANDA光纖對(duì)齊