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筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了新發(fā)明的高對比度光柵層(HCG)，HCG比傳統(tǒng)的分布布拉格反射鏡（DBR）薄約50倍，但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調(diào)諧范圍，調(diào)諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。

850nm蝶形高速調(diào)制單模 VCSEL激光器：LD-PD INC借經(jīng)過優(yōu)化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統(tǒng)應用的理想選擇。創(chuàng)新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩(wěn)定性。

Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點,2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內(nèi)置防靜電（ESD）保護。

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點,2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內(nèi)置防靜電（ESD）保護.

894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs：以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW：以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。