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  • P760/01_2760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器

    760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜(TDLAS)應(yīng)用而設(shè)計,內(nèi)置防靜電(ESD)保護(hù)。

    更新時間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號:P760/01_2
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  • 760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL

    760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜(TDLAS)應(yīng)用而設(shè)計,內(nèi)置防靜電(ESD)保護(hù).

    更新時間:2024-12-03
    產(chǎn)品型號:
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  • V00145894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs

    894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs:以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。

    更新時間:2024-12-03
    產(chǎn)品型號:V00145
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  • 1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW

    1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW:以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。

    更新時間:2024-12-03
    產(chǎn)品型號:
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  • MP794-01-TN-S46FTT795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips

    795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗(yàn),還有852nm用于CS原子冷卻。

    更新時間:2024-12-03
    產(chǎn)品型號:MP794-01-TN-S46FTT
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