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  • 1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探測器，當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發(fā)生偏移時，由于象限間輻射通量的變化，引起各個象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導的作用。

    更新時間：2024-12-06
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  • 1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W) 產(chǎn)品應用 ● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測量系統(tǒng)

    更新時間：2024-12-05
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  • 硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm，適合于生物醫(yī)學和分析應用。 這種Si APD設計為雙擴散“穿透式”結構，可在400和1000 nm之間提供高響應度，以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。

    更新時間：2024-12-05
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  • 905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管，光譜響應范圍從可見光到近紅外，峰值響應波長905nm。大光敏面，高速響應，高增益，低噪聲。

    更新時間：2024-12-05
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  • 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)

    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)硅雪崩光電二極管，光譜響應范圍從可見光到近紅外，峰值響應波長905nm。大光敏面，高速響應，高增益，低噪聲。

    更新時間：2024-12-05
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